RJK60S7DPK-M0#T0 Datenblatt
RJK60S7DPK-M0#T0 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 193,95 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RJK60S7DPK-M0#T0
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (Max) +30V, -20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 25V FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) 227.2W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3PSG Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
