RJK4002DPD-00#J2 Datenblatt
RJK4002DPD-00#J2 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 132,92 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RJK4002DPD-00#J2
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket MP-3A Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
