RJK2009DPM-00#T0 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RJK2009DPM-00#T0
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3PFM Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 |
