RJH1BF7RDPQ-80#T2 Datenblatt
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RJH1BF7RDPQ-80#T2
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1100V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 60A Leistung - max 250W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
