Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RFD14N05SM9A Datenblatt

RFD14N05SM9A Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 761,29 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: RFD14N05SM9A
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 1
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 2
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 3
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 4
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 5
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 6
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 7
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 8
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 9
RFD14N05SM9A Datenblatt Seite 10
RFD14N05SM9A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63