RCJ081N20TL Datenblatt
RCJ081N20TL Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 1.316,79 KB
Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RCJ081N20TL
|
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 770mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.25V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LPTS (SC-83) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
