PSMNR58-30YLHX Datenblatt
PSMNR58-30YLHX Datenblatt
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Nexperia
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PSMNR58-30YLHX
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6.16nF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SOT-1023, 4-LFPAK |
