PSMN7R0-100PS Datenblatt
PSMN7R0-100PS Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 740,06 KB
Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PSMN7R0-100PS,127
|
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6686pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 269W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
