Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PSMN2R0-30BL Datenblatt

PSMN2R0-30BL Datenblatt
Total Pages: 15
Größe: 806,91 KB
Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: PSMN2R0-30BL,118
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 1
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 2
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 3
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 4
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 5
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 6
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 7
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 8
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 9
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 10
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 11
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 12
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 13
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 14
PSMN2R0-30BL Datenblatt Seite 15
PSMN2R0-30BL,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6810pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

211W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB