PSMN1R9-40PLQ Datenblatt
PSMN1R9-40PLQ Datenblatt
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Nexperia
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PSMN1R9-40PLQ
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 349W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
