PSMN1R5-30BLEJ Datenblatt
PSMN1R5-30BLEJ Datenblatt
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Nexperia
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PSMN1R5-30BLEJ
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 228nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14934pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 401W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
