Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PSMN070-200B Datenblatt

PSMN070-200B Datenblatt
Total Pages: 12
Größe: 762,79 KB
Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: PSMN070-200B,118
PSMN070-200B Datenblatt Seite 1
PSMN070-200B Datenblatt Seite 2
PSMN070-200B Datenblatt Seite 3
PSMN070-200B Datenblatt Seite 4
PSMN070-200B Datenblatt Seite 5
PSMN070-200B Datenblatt Seite 6
PSMN070-200B Datenblatt Seite 7
PSMN070-200B Datenblatt Seite 8
PSMN070-200B Datenblatt Seite 9
PSMN070-200B Datenblatt Seite 10
PSMN070-200B Datenblatt Seite 11
PSMN070-200B Datenblatt Seite 12
PSMN070-200B,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4570pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB