PHN203 Datenblatt
PHN203 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 762,04 KB
Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PHN203,518
|
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 20V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
