P1086_D75Z Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 75 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 75 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 75 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
