NVMTS0D7N06CTXG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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NVMTS0D7N06CTXG
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60.5A (Ta), 464A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.72mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11535pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 294.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFNW (8.3x8.4) Paket / Fall 8-PowerTDFN |