Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVB110N65S3F Datenblatt

NVB110N65S3F Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 159,62 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NVB110N65S3F
NVB110N65S3F Datenblatt Seite 1
NVB110N65S3F Datenblatt Seite 2
NVB110N65S3F Datenblatt Seite 3
NVB110N65S3F Datenblatt Seite 4
NVB110N65S3F Datenblatt Seite 5
NVB110N65S3F Datenblatt Seite 6
NVB110N65S3F Datenblatt Seite 7
NVB110N65S3F Datenblatt Seite 8
NVB110N65S3F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FRFET®, SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2560pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

240W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK-3 (TO-263-3)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB