Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTMFS5H615NLT1G Datenblatt

NTMFS5H615NLT1G Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 129,95 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NTMFS5H615NLT1G
NTMFS5H615NLT1G Datenblatt Seite 1
NTMFS5H615NLT1G Datenblatt Seite 2
NTMFS5H615NLT1G Datenblatt Seite 3
NTMFS5H615NLT1G Datenblatt Seite 4
NTMFS5H615NLT1G Datenblatt Seite 5
NTMFS5H615NLT1G Datenblatt Seite 6
NTMFS5H615NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Ta), 185A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 49A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4860pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 139W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads