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NTMFS4854NST3G Datenblatt

NTMFS4854NST3G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: NTMFS4854NST3G, NTMFS4854NST1G
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NTMFS4854NST3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SENSEFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.2A (Ta), 149A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.2V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 11.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4830pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta), 86.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SO-8FL

Paket / Fall

8-PowerTDFN

NTMFS4854NST1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SENSEFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.2A (Ta), 149A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.2V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 11.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4830pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta), 86.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SO-8FL

Paket / Fall

8-PowerTDFN