NTLJS1102PTBG Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 720mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Vgs (Max) ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 4V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2) Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 720mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Vgs (Max) ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 4V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2) Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad |
