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NSB13211DW6T1G Datenblatt

NSB13211DW6T1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NSB13211DW6T1G
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NSB13211DW6T1G

ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms, 10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7kOhms, 10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

230mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363