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NRVTS10120EMFST1G Datenblatt

NRVTS10120EMFST1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 4 Teilenummern: NRVTS10120EMFST1G, NRVTS10120EMFST3G, NTS10120EMFST3G, NTS10120EMFST1G
NRVTS10120EMFST1G Datenblatt Seite 1
NRVTS10120EMFST1G Datenblatt Seite 2
NRVTS10120EMFST1G Datenblatt Seite 3
NRVTS10120EMFST1G Datenblatt Seite 4
NRVTS10120EMFST1G Datenblatt Seite 5
NRVTS10120EMFST1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

NRVTS10120EMFST3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

NTS10120EMFST3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

NTS10120EMFST1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C