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NLAS5123MUR2G Datenblatt

NLAS5123MUR2G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: NLAS5123MUR2G, NLAS5123MNR2G
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NLAS5123MUR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

120mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 4.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

20ns, 15ns

-3db Bandbreite

55MHz

Ladungsinjektion

48pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

20pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

2nA

Übersprechen

-70dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

6-UFDFN

Lieferantengerätepaket

6-UDFN (1.2x1)

NLAS5123MNR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

120mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 4.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

20ns, 15ns

-3db Bandbreite

55MHz

Ladungsinjektion

48pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

20pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

2nA

Übersprechen

-70dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

6-WFDFN

Lieferantengerätepaket

6-WDFN (1.2x1.0)