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NLAS323US Datenblatt

NLAS323US Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: NLAS323US, NLAS323USG
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NLAS323US Datenblatt Seite 8
NLAS323US Datenblatt Seite 9
NLAS323US

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

25Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

9ns, 10ns

-3db Bandbreite

220MHz

Ladungsinjektion

3pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

10pF, 10pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

US8

NLAS323USG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

25Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

9ns, 10ns

-3db Bandbreite

220MHz

Ladungsinjektion

3pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

10pF, 10pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

US8