NGTB75N60SWG Datenblatt
NGTB75N60SWG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NGTB75N60SWG
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A Leistung - max 595W Schaltenergie 1.5mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 110ns/270ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
