NGTB30N65IHL2WG Datenblatt
NGTB30N65IHL2WG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NGTB30N65IHL2WG
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max 300W Schaltenergie 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/145ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 430ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
