NGTB20N60L2TF1G Datenblatt
NGTB20N60L2TF1G Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 441,45 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NGTB20N60L2TF1G
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 20A Leistung - max 64W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/193ns Testbedingung 300V, 20A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PF-3 |
