+86-0755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.
Anmelden Deutsch USD
Warenkorb 0 Artikel Stückliste hochladen Sparen Sie Zeit

NGTB20N120IHSWG Datenblatt

NGTB20N120IHSWG Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 178,26 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB20N120IHSWG
NGTB20N120IHSWG Datenblatt Seite 1
NGTB20N120IHSWG Datenblatt Seite 2
NGTB20N120IHSWG Datenblatt Seite 3
NGTB20N120IHSWG Datenblatt Seite 4
NGTB20N120IHSWG Datenblatt Seite 5
NGTB20N120IHSWG Datenblatt Seite 6
NGTB20N120IHSWG Datenblatt Seite 7
NGTB20N120IHSWG Datenblatt Seite 8
NGTB20N120IHSWG Datenblatt Seite 9
NGTB20N120IHSWG

ON Semiconductor

NGTB20N120IHSWG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

650µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/160ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247