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NGTB20N120IHRWG Datenblatt

NGTB20N120IHRWG Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB20N120IHRWG
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NGTB20N120IHRWG

ON Semiconductor

NGTB20N120IHRWG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 20A

Leistung - max

384W

Schaltenergie

450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/235ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247