NESG7030M04-A Datenblatt
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CEL
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NESG7030M04-A
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.3V Frequenz - Übergang 5.8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz Gewinn 14dB ~ 21dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket M04 |
