Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NDS9952A Datenblatt

NDS9952A Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 311,89 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NDS9952A
NDS9952A Datenblatt Seite 1
NDS9952A Datenblatt Seite 2
NDS9952A Datenblatt Seite 3
NDS9952A Datenblatt Seite 4
NDS9952A Datenblatt Seite 5
NDS9952A Datenblatt Seite 6
NDS9952A Datenblatt Seite 7
NDS9952A Datenblatt Seite 8
NDS9952A Datenblatt Seite 9
NDS9952A Datenblatt Seite 10
NDS9952A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A, 2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC