NDS8961 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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NDS8961
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |