MT47H512M4THN-37E:E TR Datenblatt
MT47H512M4THN-37E:E TR Datenblatt
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Micron Technology Inc.
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern:
MT47H512M4THN-37E:E TR, MT47H512M4THN-3:E TR
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 2Gb (512M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 500ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 63-FBGA Lieferantengerätepaket 63-FBGA (9x11.5) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 2Gb (512M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 450ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 63-FBGA Lieferantengerätepaket 63-FBGA (9x11.5) |
