MT41J512M8THD-187E:D Datenblatt
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 13.125ns Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 78-TFBGA Lieferantengerätepaket 78-FBGA (9x11.5) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 13.5ns Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 78-TFBGA Lieferantengerätepaket 78-FBGA (9x11.5) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 4Gb (1G x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 78-TFBGA Lieferantengerätepaket 78-FBGA (9x11.5) |