MRFG35010MT1 Datenblatt
MRFG35010MT1 Datenblatt
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NXP
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MRFG35010MT1
NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp pHEMT FET Frequenz 3.55GHz Gewinn 10dB Spannungstest 12V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 180mA Leistung - Leistung 9W Spannung - Nennspannung 15V Paket / Fall PLD-1.5 Lieferantengerätepaket PLD-1.5 |