Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MRFG35003MT1 Datenblatt

MRFG35003MT1 Datenblatt
Total Pages: 12
Größe: 167,15 KB
NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: MRFG35003MT1
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 1
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 2
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 3
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 4
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 5
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 6
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 7
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 8
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 9
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 10
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 11
MRFG35003MT1 Datenblatt Seite 12

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

11.5dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

55mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5