MR2A16ATS35CR Datenblatt
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat RAM Technologie MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat RAM Technologie MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
