MMRF1318NR1 Datenblatt
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NXP
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MMRF1318NR1
NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 450MHz Gewinn 22dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 900mA Leistung - Leistung 300W Spannung - Nennspannung 110V Paket / Fall TO-270-4 Lieferantengerätepaket TO-270 WB-4 |