MMIX1F360N15T2 Datenblatt
MMIX1F360N15T2 Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
MMIX1F360N15T2
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Hersteller IXYS Serie GigaMOS™, TrenchT2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 235A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 715nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 47500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 680W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 24-SMPD Paket / Fall 24-PowerSMD, 21 Leads |
