MMIX1F230N20T Datenblatt
MMIX1F230N20T Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 225,69 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
MMIX1F230N20T
|
Hersteller IXYS Serie GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 168A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 378nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 600W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 24-SMPD Paket / Fall 24-PowerSMD, 21 Leads |
