MMBFJ203 Datenblatt
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 900µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 900µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 900µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 900µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
