MD51V65165E-50TAZ0AR Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
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MD51V65165E-50TAZ0AR
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM Speichergröße 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 84ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 50-TSOP II |
