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MB2M-E3/45 Datenblatt

MB2M-E3/45 Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: MB2M-E3/45, MB6M-E3/45, MB4M-E3/45
MB2M-E3/45 Datenblatt Seite 1
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MB2M-E3/45 Datenblatt Seite 3
MB2M-E3/45 Datenblatt Seite 4
MB2M-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.200", 5.08mm)

Lieferantengerätepaket

MBM

MB6M-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.200", 5.08mm)

Lieferantengerätepaket

MBM

MB4M-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.200", 5.08mm)

Lieferantengerätepaket

MBM