IXTA130N10T7 Datenblatt
IXTA130N10T7 Datenblatt
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IXYS
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IXTA130N10T7
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Hersteller IXYS Serie TrenchMV™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 360W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (IXTA) Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
