IXFZ140N25T Datenblatt
IXFZ140N25T Datenblatt
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IXYS
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IXFZ140N25T
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Hersteller IXYS Serie GigaMOS™ HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 445W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DE475 Paket / Fall DE475 |
