IXFN200N07 Datenblatt
IXFN200N07 Datenblatt
Total Pages: 2
Größe: 94,71 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXFN200N07
|
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 70V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 480nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 520W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
