IXFK360N10T Datenblatt
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Hersteller IXYS Serie GigaMOS™ HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 360A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 525nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-264AA (IXFK) Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller IXYS Serie GigaMOS™ HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 360A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 525nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 Paket / Fall TO-247-3 |
