IXBX25N250 Datenblatt
IXBX25N250 Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXBX25N250
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 25A Leistung - max 300W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 103nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.6µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
