IS61WV12824-8BL Datenblatt














Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 3Mb (128K x 24) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8ns Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BBGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 3Mb (128K x 24) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8ns Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BBGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |