IS42SM32160C-7BLI-TR Datenblatt
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-LFBGA Lieferantengerätepaket 90-WBGA (8x13) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-LFBGA Lieferantengerätepaket 90-WBGA (8x13) |
