IS42RM32200M-6BLI-TR Datenblatt
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
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